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東芝がスマートフォンなどに使われる記憶用半導体の「３次元タイプ」のＮＡＮＤ型フラッシュメモリーで、韓国のサムスン電子を上回る製造技術を開発したことが２４日、わかった。記憶素子を垂直に積載する３次元メモリーはサムスンが昨年から３２層の積層品を量産しているが、東芝は４８層のタイプを開発し世界一に躍り出る。東芝は今年後半から量産する計画で、今後、スマホなどに保存できるデータ容量が飛躍的に増える可能性がある。

東芝が開発する３次元メモリーは、従来タイプよりも記憶容量を大幅に高められ、半導体の小型化も可能で、次世代の競争を左右する技術とされる。

これまでは記憶素子を平面に並べ、回路線幅を縮めることで、容量を拡大する手法が主流だったが、微細化は限界に来ている。３次元メモリーは記憶素子を積むほど容量が大きくなる利点があるが、製造コストがかかるのが課題だ。

昨年から量産を開始しているサムスンも不良品率が高く、採算面で厳しいとの声もある。東芝も同様の課題を抱えていたが、生産技術のめどが立ち、サンプル出荷を決めた。メモリー容量は、サムスンよりも上回っているもようだ。

東芝は、今夏に一部の建て替えが竣工（しゅんこう）する四日市工場（三重県四日市市）で、新製品を量産する。