開発したRRAM素子の透過型電子顕微鏡写真

独立行政法人・産業技術総合研究所は9月25日、シャープと共同で「RRAM」（Resistance RAM：抵抗変化メモリ）の開発に成功したと発表した。電源を切っても記憶を保持できる不揮発性ながら、既存のNOR型フラッシュメモリと比べ1000分の1の低消費電力化が可能という。

RRAMは、金属電極で挟んだ遷移金属酸化膜の電気抵抗変化を記憶情報とするメモリ素子。不揮発性で低消費電力・高速動作が特徴だが、抵抗変化を定量的に制御する方法が開発できていないのが現状だ。

産総研とシャープは2006年、RRAM素子をMRAM並みの書き換え時間（10ナノ秒程度）に高速化することに成功していた。今回開発したRRAM素子は、タンタル電極とコバルト酸化物による単純な金属・酸化物接合が基本構造。接合界面のナノレベルの電気化学反応を定量的に制御することで、メモリ動作を高性能化したという。

貴金属を使わずに安定したメモリ動作が可能な上、現行プロセスとの整合性が高いため、ビットコスト競争力にも優れているとしている。今後、集積化と量産化に向けた技術開発を進める。

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