Alors que les trois leaders mondiaux des smartphones choisissent désormais de fabriquer eux-mêmes leurs processeurs, Qualcomm innove pour rester un passage obligé. Le fondeur a ainsi officialisé sa nouvelle puce haut de gamme Snapdragon estampillée 835, fabriquée par Samsung, dont le premier est atout est une empreinte encore réduite puisqu'il sera gravé en 10 nm FinFET.

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Ainsi, par rapport à la précédente génération, il est 30% plus compact, 40% moins énergivore à puissance égale et 27% plus performant. Bref du pain béni pour les fabricants de terminaux toujours en quête d'espace.

"L’utilisation de la gravure en 10 nm devrait permettre au Snapdragon 835 d’offrir une plus grande efficacité énergétique et d’augmenter les performances tout en nous permettant d’ajouter un certain nombre de nouvelles fonctionnalités qui amélioreront l’expérience utilisateur des appareils mobiles de demain", commente Keith Kressin, vice-président senior, gestion des produits de Qualcomm.

Autre innovation, le support de la technologie Quick Charge 4 qui accélère encore : 20% plus rapide que la version précédente. Ainsi Qualcomm promet 5 heures d’autonomie en seulement 5 minutes de charge. En espérant que la batterie n'explose pas... Quick Charge 4 utilise un double système de chargement et exploite la technologie INOV (Intelligent Negotiation for Optimum Voltage), un algorithme de gestion de l’alimentation conçu par Qualcomm qui permet par ailleurs de tenir compte de la température de la batterie pour ajuster la charge.

Le groupe est en revanche resté avare sur les autres détails de sa puce, notamment sa vitesse, mais a précisé que la mise en production allait commencer. Il s'agit d'équiper les smartphoens haut de gamme qui seront dévoilés au prochain CES de Las Vegas et surtout au Mobile World Congress de février prochain.