Micron hat in diesen Tagen einiges zu berichten: Zum einen wurde der bevorstehende Rücktritt des CEO Mark Durcan angekündigt. Zum anderen gab es einen Ausblick auf neue Produkte der Bereiche DRAM und NAND-Flash. Die zweite Generation des 3D-NAND soll neben dem 512-Gbit-Produkt auch ein winziges 256-Gbit-Die hervorbringen.

3D-NAND in 2. Generation mit 64 Layern

In diesem Jahr will Micron gemeinsam mit Intel die zweite Generation des eigenen 3D-NAND fertigen. Die erste Generation basiert auf 32 übereinander liegenden Zellschichten (Layer) und ist als TLC-Variante mit 384 Gigabit und als MLC-Version mit 256 Gigabit verfügbar. Bei der zweiten Generation wird auf 64 Layer verdoppelt; das soll die Kapazität pro Chip nochmals deutlich steigern. Ein Vorteil gegenüber der Konkurrenz ist zumindest aus Sicht von Micron die schon bei der ersten Generation genutzte Technik „CMOS under Array“. Dabei werden die Schaltungen der Chip-Logik in einer separaten Ebene unter den Zellschichten untergebracht. Somit wird kostbare Wafer-Fläche gespart, beziehungsweise mehr Fläche für den eigentlichen Speicher genutzt.

Kostensenkung bei DRAM und Flash (Bild: Micron)

Der kleinste 256-Gbit-Chip

Welche Produkte Micron mit der zweiten 3D-NAND-Generation konkret anbieten wird, war bisher mehr Spekulation als Fakt. Der Hersteller hatte unter anderem TLC-3D-NAND mit 768 Gigabit pro Die in Aussicht gestellt. Eine MLC-Variante mit 512 Gigabit war vermutet worden und auch eine TLC-Version mit 512 Gigabit kursiert in den Medien. In der Präsentation des jüngsten Analystentreffens ist jedoch nur von einem konkreten Produkt die Rede: Einem winzigen 256-Gigabit-Die auf Basis des neuen 64-Layer-TLC-3D-NAND.

Mit einer Fläche von lediglich 59 mm² sei es das „kleinste 256-Gbit-Die der Welt“. Damit sollen mindestens 25 Prozent mehr Dies pro Wafer möglich sein als bei den 64-Layer-Produkten der Konkurrenz. Die Speicherdichte beträgt umgerechnet 4,3 Gigabit pro Quadratmillimeter. Die Kosten pro Gigabyte soll der 64-Layer-NAND nochmals um über 30 Prozent gegenüber der ersten Generation senken.

3D-NAND Gen 2 mit kleinstem 256-Gbit-Die (Bild: Micron)

Laut AnandTech ist das kleine Die vorwiegend für den Mobilmarkt vorgesehen. Ein 512-Gbit-TLC-Chip für andere Segmente sei ebenfalls geplant, wird in der Präsentation aber nicht erwähnt.

Micron erklärt, dass der 64-Layer-3D-NAND zur Bemusterung durch Kunden bereitsteht. Bis zum Ende des Fiskaljahres 2017 (Dezember) soll eine nennenswerte Produktionsmenge erreicht werden.

3. Generation 3D-NAND und QLC

In der zweiten Jahreshälfte sollen die ersten Chips der dritten Generation des 3D-NAND gefertigt werden. Details zu dieser Generation verrät Micron noch nicht. Der in Form der Gigabyte pro Wafer angegebene Ausstoß soll aber gegenüber der zweiten Generation nochmals um 40 Prozent gesteigert werden.

3D-NAND Gen 2 (Bild: Micron)

Genau wie Toshiba und Western Digital hat auch Micron QLC-NAND mit vier Bit pro Speicherzelle auf dem Zettel. In welcher Generation dieser Einzug halten wird, ist noch unklar. Die Einführung werde auch von den Marktanforderungen abhängig gemacht.

Neue Speicherklasse auf DRAM-Niveau

Eine Folie weist darauf hin, dass Micron an einer neuen Speichertechnik arbeitet, die in puncto Geschwindigkeit und Kosten DRAM nahe kommt. Eine weitaus höhere Geschwindigkeit aber auch höhere Kosten pro Bit als bei 3D XPoint oder ReRAM sind zu erwarten. Ob der Speicher nicht-flüchtig wie 3D XPoint oder flüchtig wie DRAM sein wird, gilt es abzuwarten. Bis zur Marktreife könnten angesichts der fehlenden Details aber noch viele Jahre vergehen.

Neuer Speichertyp geplant (Bild: Micron)

Kaum Neues bei 3D XPoint

Zu 3D XPoint gibt es kaum neue Erkenntnisse. Der Speicher sei in Produktion, die nächsten zwei Generation würden bereits entwickelt. Im vergangenen Sommer hatte Micron die QuantX-SSD-Familie auf Basis des neuen Speichers für Mitte oder Ende 2017 angekündigt und das hohe Leistungspotenzial demonstriert.

Zuvor will Partner Intel die ersten Produkte der Optane-Serie auf den Markt bringen. Zunächst sind kleine M.2-Module als Cache für Client-Systeme geplant, die im zweiten Quartal verfügbar sein sollen. Während Micron von Anfang an mit Produktterminen sehr vorsichtig umging, hatte Intel bereits vollmundig für Ende 2016 erste Optane-SSDs mit 3D XPoint angekündigt und musste letztlich die Verspätung einräumen.

DRAM und GDDR6

In diesem Jahr soll die Umstellung auf die neue 1xnm-DRAM-Generation mit einer Strukturbreite von unter 20 Nanometern beginnen. Die Kosten pro Gigabit sollen dabei gegenüber dem 20-nm-Prozess um über 20 Prozent gesenkt werden. Wie beim neuen 3D-NAND spricht Micron von „meaningful output“ bis zum Ende des Geschäftsjahres im Dezember. Im zweiten Halbjahr steht dann bereits der nächste Schritt in Form des 1ynm-Verfahrens an. In den Werken in den USA und Japan werde zudem an der dritten Generation der 10-nm-Klasse (1znm) geforscht.

DRAM: 1Xnm und 1Ynm (Bild: Micron)

Beim für Grafikkarten eingesetzten GDDR-Speicher steht nach GDDR5X mit GDDR6 der nächste Schritt an. Zum Jahresende oder Anfang 2018 soll Microns GDDR6-Speicher eingeführt werden, berichtet AnandTech. Auch Samsung plant mit GDDR6 für 2018 und sieht anfangs Geschwindigkeiten von 14 bis 16 Gbps vor. GDDR5X als Zwischenstufe zwischen GDDR5 und GDDR6 bietet Micron derzeit exklusiv an.

CEO Mark Durcan zieht sich zurück

Nach rund 30 Jahren bei Micron, von denen er rund fünf Jahre als CEO tätig war, wurde nun der bevorstehende Rücktritt von Mark Durcan verkündet. In der Mitteilung des Unternehmens heißt es, dass Durcan mit dem Vorstand vereinbart hatte, dass er abtreten wolle, wenn „Zeitpunkt und Bedingungen für das Unternehmen richtig sind“. Einen Termin für den Abgang gibt es aber noch nicht. Zuvor gilt es, einen Nachfolger zu finden. Bei der Suche werde Durcan unterstützend helfen.