Samsungの営業利益は7四半期連続で過去最高を更新中 初めはSamsungである。Samsungの半導体事業はメモリだけではない。メモリ事業のほかに、システムLSI事業とファウンダリ事業がある。ただし半導体事業の約8割は、メモリ事業が占める。 同社は半導体事業全体の売上高と半導体事業の営業損益、半導体メモリ事業の売上高は四半期ごとに公表しているものの、半導体メモリ事業の営業損益は公表していない。 前回レポートでは、Samsungの半導体事業は「2016年第4四半期以降、4四半期連続で過去最高の売上高と過去最高の営業利益を更新し続けている」と述べた。これは2017年第3四半期(2017年7月～9月期)までの状況報告である。その後、続く同年第4四半期も売上高と営業利益の過去最高額を更新した。2018年第1四半期(2018年1月～3月期)は季節要因(クリスマス商戦の反動)によって売上高は前四半期と比べて低下した。しかし営業利益は前四半期比で上昇し、6四半期連続で過去最高を更新した。 そして直近の2018年第2四半期(2018年4月～6月期)では前述のように、売上高と営業利益の両方で過去最高を塗り替えた。営業利益の最高額の更新は7四半期連続に達した。売上高営業利益率は52.8％で、前回レポートの2017年第3四半期から、さらに2.8ポイント上昇した。ちなみに売上高営業利益率が過去最高に達したと見られるのは前四半期の2018年第1四半期で、55.6％である。

2018年下半期もDRAMの需給バランスは緩まないと予測 Samsungはさらに、2018年下半期(2018年7月～12月期)のDRAMとNANDフラッシュメモリの需給バランスについても予測を公表している。DRAMの需給バランスはタイトな状況が続く。需要が拡大し、供給が追いつかないと見る。供給が追いつかない理由は、10nm級の最先端製造技術がまだ成熟しておらず、プロセスパラメータの調整が必要なためだとする。 NANDフラッシュメモリでは、販売価格の低下が、記憶容量ベースの需要拡大を促すと予測する。エンタープライズ向けSSDでは、ハイエンド品である8TB以上のドライブの導入が進む。モバイル向けでは、128GBの大容量フラッシュストレージを搭載したスマートフォンが主力となる。供給側は、メモリセルの積層数で64層の3D NANDフラッシュ製品の生産数量が増加すると見る。需給バランスについては「流動的(volatile)」との抽象的な表現にとどまった。 なお、DRAMの大手メーカーはすべてNANDフラッシュメモリも生産しているため、生産ラインの割り振りが両者の需給バランスに影響を与えるとコメントしている。

2018年末にはDRAM製造の7割が10nm級の世代に移行 そしてこういった市場環境の変化を予測した上で、Samsungはどのように半導体メモリ事業を進めていくのか。製造技術の開発状況を公表した。 2018年上半期の半導体設備投資額は13.3兆ウオン(約1,200億ドル)である。Samsung全社の設備投資の約8割を占める。この巨額の半導体投資は、2018年下半期以降の製造ラインへとおもに費やされていく。 DRAMの製造技術は、20nm世代から1Xnm世代への転換を急速に進めている。2018年第2四半期の時点で、DRAM生産(ウェハ枚数ベース)の50％強が1Xnm世代へと移行した。さらに微細化を進めた1Ynm世代のDRAM生産を同年上半期にははじめており、下半期に向けて数量を増やしていく。2018年末の時点では、1Xnm世代と1Ynm世代の合計が70％を占める見込みである。 NANDフラッシュメモリ(3D NANDフラッシュ)の製造技術では、今年は64層品の生産を拡大する。そして来年(2019年)は、90層を超える積層数の製品の量産を立ち上げる。

Micronは7四半期連続で売上高と営業利益の過去最高を更新 続いてMicronの業績推移を見ていこう。Micronは四半期業績の区切りが複雑で、ややわかりにくい。会計年度の期末は8月とかなり変則的だ。このため、四半期の期末が11月(第1四半期)、2月(第2四半期)、5月(第3四半期)、8月(第4四半期)となっている。そして「2018会計年度」は、2018年8月が期末となる。 前回レポートでは、2017会計年度第4四半期(2017年6月～8月期)における四半期業績を紹介した。売上高と営業利益がともに過去最高を記録していた。売上高の金額は61.4億ドルである。ちなみにMicronは、売上高の95％前後をDRAMとNANDフラッシュメモリが占める。 前回レポートの時点で、Micronは3四半期連続で売上高と営業利益の過去最高額を更新中だった。その後も現在まで、過去最高記録の塗り替えは続いた。直近の2018会計年度第4四半期(2018年6月～8月期)の時点で、7四半期連続で過去最高を更新している。 Micronの業績で注目すべきは、2016会計年度第4四半期(2016年6月～8月期)以降、一貫して売上高営業利益率が上昇してきたことだ。同四半期の売上高営業利益率はわずか0.6％で、その前四半期は営業赤字だった。それが1年後の2017会計年度第4四半期(2017年6月～8月期)には、売上高営業利益率が41.5％と異常なほどの急激な上昇を見せた。その後も売上高営業利益率は上昇し、直近の2018会計年度第4四半期(2018年6月～8月期)では、52.6％に達した。過去10年間では最高の営業利益率である。

MicronのNAND事業は値下がりでも粗利益率が上昇 次はMicronのNANDフラッシュメモリ事業である。NANDフラッシュ事業におけるビット成長率は、2018会計年度第3四半期(2018年3月～5月期)が前の四半期と比べて0％とフラット、前年同期と比べて20％弱の成長である。続く2018会計年度第4四半期(2018年6月～8月期)は、前の四半期と比べて35％増と大きく成長した。前年同期比では56％～59％と高い成長率となった。 NANDフラッシュメモリ市場全体としてのビット成長率は、2018年に45％前後になると見込んだ。さらに来年のビット成長率は、35％～40％との予測値を公表済みである。 MicronのNANDフラッシュメモリ販売における平均販売価格(ASP)は、2018会計年度第3四半期(2018年3月～5月期)が前の四半期と比べて5％～9％の上昇、前年同期と比べて5％前後の下降である。続く2018会計年度第4四半期(2018年6月～8月期)は、前の四半期に比べて15％前後の下降となり、かなりの値下がりが発生した。前年同期と比べたASPは25％前後の下降と、大幅に低下してきた。 そしてNANDフラッシュメモリ事業の粗利益率は、2018会計年度第3四半期(2018年3月～5月期)が47％、2018会計年度第4四半期(2018年6月～8月期)が48％である。前年同期の粗利益率はそれぞれ41％と40％で、値下がりにもかかわらず、利益率は上昇している。

独自開発による次世代3D NANDの進行度は順調 MicronはDRAMとNANDフラッシュメモリの技術開発についても概要を公表している。その内容を以下に紹介しよう。 DRAMの製造技術は、20nm世代から1Xnm世代へと移行を進めている。2018年9月～11月期(2019会計年度第1四半期)には、20nm世代の数量を1Xnm世代の数量が上回る見込みである。さらに微細化を進めた1Ynm世代の販売は、2019年(暦年)にはじめる。量産の本格的な立ち上げは2019年3月～5月期(2019会計年度第3四半期)になる。 NANDフラッシュメモリ(3D NANDフラッシュ)の製造技術は、第3世代である96層の3D NANDフラッシュの生産を2018年(暦年)は拡大していく。独自開発となる次世代品(第4世代品)の開発は順調に進んでいるとする。

SK Hynixの売上高営業利益率は8四半期連続で上昇 最後はSK Hynixである。半導体メモリベンダーとしては、Samsungに次ぐ2位につける。SK Hynixは売上高の100％近くをDRAMとNANDフラッシュメモリが占める。Micronと同様に、DRAMとNANDフラッシュメモリが会社を支えていると言える。 前回レポートではSK Hynixの四半期業績について「2016年第4四半期以降は売上高が過去最高を更新し、2017年第1四半期以降は営業利益が過去最高を更新し続けている」と報告した。前回レポートで最新の四半期は2017年第3四半期(2017年7月～9月期)だったので、4四半期連続で売上高の過去最高を更新し、3四半期連続で営業利益の過去最高を更新していた。 その後は2017年第4四半期(2017年10月～12月期)に売上高と営業利益の過去最高をさらに塗り替えた。次の2018年第1四半期(2018年1月～3月期)は季節要因の影響を受けて売上高と営業利益を減らしたものの、直近の2018年第2四半期(2018年4月～6月期)では再び、売上高と営業利益の最高額を更新した。 SK HynixはMicronと同様に、売上高営業利益率を順調に伸ばしてきた。SK Hynixの売上高営業利益率が上昇をはじめたのは、2016年第3四半期である。同期の売上高営業利益率は17.1％。前四半期は11.5％で2016年前半のメモリ不況によるボトム(底)だった。営業利益率の上昇は急激で、1年後の2017年第3四半期には、営業利益率は46.1％に増加した。ここまで5四半期連続の上昇である。 営業利益はその後も上昇を続けた。直近の2018年第2四半期(2018年4月～6月期)では、53.7％に達している。じつに8四半期連続の増加だ。

SK HynixのNANDフラッシュ事業は成長が鈍化 SK HynixもMicronと同様に、DRAM事業とNANDフラッシュメモリ事業の現状(ビット成長率と平均販売価格)を定量化して公表している。DRAMのビット成長率(前四半期比)は、2018年第1四半期がマイナス5％、同年第2四半期がプラス16％である。NANDフラッシュメモリのビット成長率(前四半期比)は2018年第1四半期がマイナス10％、同年第2四半期がプラス19％である。 DRAMの平均販売価格(ASP)は、2018年第1四半期が前の四半期と比べて9％の上昇、同年第2四半期は4％の上昇となった。合計すると2018年上半期は13％の上昇である。ビット成長率が10.2％なので、単純積算では金額ベースで24.5％の増加となる。 NANDフラッシュメモリのASPは、2018年第1四半期が前の四半期と比べて1％の下降、同年第2四半期は9％の下降となった。合計すると2018年上半期は9.9％の下降である。ビット成長率が7.1％なので、単純積算では金額ベースで3.5％の減少となる。