Samsungは9日(米国時間)、ダイあたり1Tbを実現するV-NANDソリューションと、データセンター向けSSDの新フォームファクタを発表した。

大容量化した1Tb V-NANDチップは、膨大なデータを高速に処理することが求められるビッグデータ分野、特に機械学習やリアルタイム性の高いデータ分析に貢献するという。同技術を使用した製品の登場は2018年を予定している。1Tbダイを16層スタックし、1チップあたり2TBを実現する見込みだ。

サーバー向けSSDの新フォームファクタ「NGSFF(Next Generation Small Form Factor)」はデータセンターなどで用いられるラックマウントに最適化し、スペースの利用効率を改善するとともにストレージ容量とIOPSを向上させる。具体的には、M.2ドライブで構成した1Uのストレージに比較して4倍以上の容量を搭載可能となる。

リファレンス環境では36基の16TB NGSFF SSDを用い、1Uあたり576TBを実現。2.5インチSSDの3倍となる1千万IOPS(ランダムリード)を記録。たった2Uのスペースで1PBのSSDストレージが構築可能となる。

Intelも同様のラックマウント向けフォームファクタ「Ruler」を7日に発表しており、こちらも将来的に1Uあたり1PBを実現することが予定されている(こちらも参照Intel、4TBの2.5インチSSD。1Uラックで1PBを実現する新形状も発表)。

Samsungは、2017年第4四半期にNGSFF製品の量産を開始する予定で、標準規格とするために業界のパートナーへ働きかけていく。