東芝メモリはフラッシュメモリに関する世界最大のイベント(講演会兼展示会)「Flash Memory Summit(FMS)」(2019年8月6日～8日、米国カリフォルニア州サンタクララコンベンションセンター)の展示会に、超高速のフラッシュメモリ「XL-FLASH(エックスエルフラッシュ)」を内蔵する2.5インチ型SSDの試作品を出品し、DRAMと同等の読み出し性能(スループット)があることを実演してみせた。

「XL-FLASH」は、96層の3D NANDフラッシュ技術「BiCS4」をベースに、SLC(1bit/セル)技術や16分割(シリコンダイにおける物理的な分割)のメモリプレーンなどによって読み書きを高速化したフラッシュメモリである。昨年(2018年)のFMSで東芝メモリは、「XL-FLASH」のコンセプトや推定性能などをキーノート講演で明らかにしていた。今年のFMSでは「XL-FLASH」の実チップとその性能を披露した。また合わせてニュースリリースでサンプル出荷の開始を発表した(参考記事:「東芝メモリ、SLC技術でTLC比10倍高速なストレージクラスメモリ」)。

「XL-FLASH」技術によって製品化したメモリの記憶容量は128Gbitである。パッケージに収容したメモリのシリコンダイは1枚。将来は、2枚、4枚、さらには8枚のメモリダイを1個のパッケージに収容した大容量品を製品化できるという。

ページサイズは4KB(バイト)と、128Gbitのメモリとしてはかなり小さい。メモリセルアレイを16個と数多くプレーン(サブアレイ)に分割したことともに、ページサイズを小さくしたことが、読み書きの高速化に寄与していると見られる。

読み出しの遅延時間(レイテンシ)は5μs未満である。標準的なTLC(3bit/セル)技術の3D NANDフラッシュのレイテンシは約50μsなので、「XL-FLASH」のレイテンシは10分の1と短い。言い換えると、読み出しが10倍速い。