米IntelとMicronは26日(現地時間)、1ダイあたり48GBという大容量を実現した3次元NANDフラッシュ技術を開発したと発表した。

フローティング・ゲート・セルを採用した3次元NAND技術で、セルを垂直に積層することで、競合の従来のNAND技術と比較して3倍の容量を実現。これによりコスト削減と低消費電力化、高性能化を達成した。

具体的には2bit/Cellで256Gbit(32GB)、3bit/Cell(TLC)で384Gbit(48GB)という大容量を実現したダイを32層に積層。これにより、1チップで1TB(2bit/Cell)または1.5TB(3bit/Cell)を達成し、板ガムサイズのSSDで3.5TB以上、標準的な2.5インチSSDで10TB以上の容量を実現できるとしている。

また、性能と耐久性を両方向上でき、データセンターSSD向けにもTLCを用いた設計が可能になるとしている。

256Gbit品は本日より一部パートナー向けにサンプル出荷され、384Gbit品も今春の後半にサンプルを出荷。両製品ともに2015年第4四半期までに量産開始するとしている。