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東芝は２２日、記憶用半導体「ＮＡＮＤ型フラッシュメモリー」で、最上位製品として記憶容量が従来品の２倍の５１２ギガ（１ギガは１０億）ビットある製品を開発、業界に先がけて今月上旬にサンプル出荷を始めたと発表した。大量の情報を扱うデータセンターなどの用途を開拓する。東芝の同半導体の世界シェアは２位。世界首位で、開発でも競い合う韓国サムスン電子などに対抗する。

東芝のフラッシュメモリーは、半導体素子を積み重ねて容量を増やした３次元構造に強みがある。今回の新製品では素子を６４層重ねた最新の製品で、１月から記憶容量が２５６ギガビットの製品を量産しているが、回路などを見直すことで５１２ギガビットとさらに大容量化。単位面積当たりの記憶容量も、１・２倍に高めた。東芝の調べによると、５１２ギガビットの製品をサンプル供給するのは世界初という。量産は今年後半に始める。

４月からは、これを１６段重ね、業界最大となる１テラ（１テラは１兆）ビットの容量を実現した製品もサンプル出荷する計画だ。

６４層の３次元フラッシュメモリーは、サムスン電子も東芝とほぼ同時に量産を始めた。また、韓国のＳＫハイニックスは、今年後半から７２層の製品を量産する計画で、開発競争が激しさを増している。