衍射光学器件与湿法设备 number of clicks： 30 衍射光学是基于光的衍射原理，利用计算机设计衍射图，并通过微电子加工技术在光学材料只做表面浮雕的元件，由于衍射光学元件及其灵活的控制波前，集多功能与一体和可复制的优良特性视光学系统及器件向轻型化，微型化和集成化发展。到了90年代至今，衍射光学元件的研究已成为光学界的前沿工作。随着衍射光学元件应用领域的拓展，大面积衍射元件的需求越来越多。湿法刻蚀技术是低成本制作特征尺寸及宽深比较大衍射光学元件较好的方法之一，特别在解决大口径元件的刻蚀均匀性方面具有很大优势。衍射光学自身具有许多优点使得它广泛地应用于各种光学系统或微光机电系统中，各种衍射光学元件目前已成为光通讯和光互联中的关键元件，对它们的性能分析和设计具有重要的理论意义和应用价值。与传统折反射光学元件比较，衍射光学元件（DOE）的光学处理功能非常灵活。DOE可以在极小的体积内，集成多种光学功能于一体，产生传统光学难以实现的各种光场分布。针对衍射光学元件的湿法刻蚀工艺，华林科纳研究了湿法刻蚀的化学机理，摸索了相关的规律，得到了有效控制刻蚀速率的方法，不同腐蚀条件下所对应的刻蚀速率。为基于工艺条件的优化设计方法提供依据，得到了制作工艺中的加工依据。公司具备独立的设计、制造及应用技术，能够为客户提供从咨询、设计、到制造的专业化、定制化整体解决方案。 More

湿法腐蚀 number of clicks： 30 湿法化学腐蚀是最早用于微机械结构制造的加工方法。所谓湿法腐蚀，就是将晶片置于液态的化学腐蚀液中进行腐蚀，在腐蚀过程中，腐蚀液将把它所接触的材料通过化学反应逐步浸蚀溶掉。用于化学腐蚀的试剂很多，有酸性腐蚀剂，碱性腐蚀剂以及有机腐蚀剂等。湿法腐蚀工艺由于其低成本，高产出，高可靠性以及其优良的选择比是其优点而仍被广泛接受和使用。华林科纳经过多年的生产经验及技术的不断改良，使得我们的设备在工艺路径及技术要求上得到稳步的提高，湿法腐蚀设备正朝着以下方向发展：a.自动化b.在微处理器控制下提高在腐蚀状态下的重复性，以帮助工艺工程师提供更良好的控制，阻止人为因素的影响。c.点控制过滤控制，以减小腐蚀过程中缺陷的产生d.自动喷淋设备的开发。所有这些，都使湿法腐蚀有一个更美好的前景。湿法腐蚀机理湿法腐蚀的产生一般可分为3步：1:反应物（指化学药剂）扩散到反应表面2:实际反应（化学反应）3:反应生成物通过扩散脱离反应表面在实际应用中，湿法腐蚀通常用来在SI衬底或薄膜上生成一定的图形，光刻版是典型的被用于覆盖所期望的表面区域防止被腐蚀液腐蚀掉，而光刻版在腐蚀后常被去掉，因此在线择湿法腐蚀工艺时，必须线择腐蚀液，合适的形成版的材料（光刻胶）必须具有良好的抗腐蚀能力，良好的完整覆盖特性，光刻胶常被用来作为版层材料，但有时边缘的黏附性差，常采用HMDS以增强其黏附性湿法腐蚀反应时可能存在多种反应机理，许多反应是一种或多种反应共同作用的结果，最简单的一种是在溶液中溶解。影响湿法腐蚀的因素湿法腐蚀质量的好坏，取决于多种因素，主要的影响因素有：1:掩膜材料（主要指光刻胶）显影不清和曝光强度不够，会使显影时留有残胶，通常会使腐蚀不净。2:须腐蚀膜的类型（指如SIO2.POLY,SILICON等）3:腐蚀速率：腐蚀速率的变化会使腐蚀效果发生改变，经常会导致腐蚀不净或严重过腐蚀，从而造成异常4:浸润与否：由于在湿... More

RCA清洗 number of clicks： 33 RCA标准清洗法是1965年由Kern和Puotinen 等人在N.J.Princeton的RCA实验室首创的，并由此而得名。CSE华林科纳RCA清洗是一种典型的、普遍使用的湿式化学清洗法，是去除硅片表面各类玷污的有效方法，所用清洗装置大多是多槽处理式清洗系统。该清洗系统主要包括以下几种药液：（1）SPM：H2SO4 /H2O2 120～150℃ SPM具有很高的氧化能力，可将金属氧化后溶于清洗液中，并能把有机物氧化生成CO 2和H2O。用SPM清洗硅片可去除硅片表面的重有机沾污和部分金属，但是当有机物沾污特别严重时会使有机物碳化而难以去除。（2）HF(DHF)：HF(DHF) 20～25℃ DHF可以去除硅片表面的自然氧化膜，因此，附着在自然氧化膜上的金属将被溶解到清洗液中，同时DHF抑制了氧化膜的形成。因此可以很容易地去除硅片表面的Al，Fe，Zn，Ni等金属，DHF也可以去除附着在自然氧化膜上的金属氢氧化物。用DHF清洗时，在自然氧化膜被腐蚀掉时，硅片表面的硅几乎不被腐蚀。（3）APM (SC-1）：NH4OH/H2O2 /H2O 30～80℃ 由于H2O2的作用，硅片表面有一层自然氧化膜(SiO2)，呈亲水性，硅片表面和粒子之间可被清洗液浸透。由于硅片表面的自然氧化层与硅片表面的Si被NH 4OH腐蚀，因此附着在硅片表面的颗粒便落入清洗液中，从而达到去除粒子的目的。在 NH4OH腐蚀硅片表面的同时，H2O 2又在氧化硅片表面形成新的氧化膜。（4）HPM (SC-2)：HCl/H2O2/H2 O 65～85℃ 用于去除硅片表面的钠、铁、镁等金属沾污。在室温下HPM就能除去Fe和Zn。 CSE华林科纳清洗基本步骤：化学清洗—漂洗—烘干。硅片经过不同工序加工后，其表面已受到严重沾污，一般硅片表面沾污大致可分在三类：1、有机杂质沾污：可通过有机试剂的溶解... More

CSE-提高湿法设备刻蚀均匀性的方法 number of clicks： 24 刻蚀是把进行光刻前所淀积的薄膜中未被光 刻胶覆盖的部分用化学或物理的方式去除，用以完成掩模图像的转移。刻蚀是半导体器件和集成 电路的基本制造工艺，分为湿法刻蚀和干法刻蚀。 湿法刻蚀是通过化学刻蚀液和被刻蚀物质之间的 化学反应将被刻蚀物质剥离下来的方法；干法刻 蚀的刻蚀剂是等离子体，是利用等离子体和表面 薄膜反应，形成挥发性物质，或直接轰击薄膜表面 使之被腐蚀的工艺。虽然湿法刻蚀在保证细小图 形转移后的保真性方面不如干法刻蚀，但由于生 产成本低、产能高、适应性强、表面均匀性好、对硅片损伤少、其优良的选择比在去氧化硅、去除残留 物、表层剥离以及大尺寸图形刻蚀等方面有着广 泛的应用。湿法刻蚀的特点是：反应生成物必须是气体或能溶于刻蚀剂的物质，否则会造成反应物沉 淀，影响刻蚀的正常进行；湿法刻蚀一般为各向同性，即水平方向和垂直方向的速率是相同的，这样会导致侧向出现腐蚀。因此，刻蚀后得到的图形结构不是理想的垂直墙；湿法刻蚀过程常伴有放热和放气现象，影响刻蚀速率，使得刻蚀效 果变差。 提高湿法设备刻蚀均匀性的方法 刻蚀均匀性是一种衡量刻蚀工艺在晶片内及晶片之间刻蚀一致性的参数，是保证芯片产品质 量的关键指标之一。刻蚀速率和刻蚀剖面与图形 尺寸及密度是影响刻蚀均匀性的原因，刻蚀均匀性与选择比有密切的关系，非均匀性刻蚀会产生额外的过刻蚀。刻蚀溶液的温度控制 刻蚀溶液温度是硅湿法刻蚀工艺重要工艺参 数之一，对硅刻蚀速率产生较大影响。一般随着溶 液温度的升高，刻蚀速率急剧增大，刻蚀同样深度 所需的时间相应减少。通常硅湿法刻蚀是在刻蚀 工艺槽内完成，为了提高产能，一次需要处理几十片，并且刻蚀过程化学反应剧烈，为放热反应，伴有大量热量放出，导致刻蚀溶液温度迅速升高，腐 蚀速率加快，影响刻蚀效果，甚至产生过刻蚀现 象。工艺温度越高，刻蚀的晶片数量越多，刻蚀反 应越剧烈，温度越难... More