72層の256Gビット3D NANDフラッシュ

SK Hynixは2017年4月10日（韓国時間）、72層の256Gビット3D（3次元） NAND型フラッシュメモリの開発に成功したと発表した。「世界初」（同社）だとする。1セル当たり3ビットの記憶が可能なTLC（Triple Level Cell）方式を採用している。

同社は48層の3D NANDフラッシュを既に量産しているが、それに比べて1.5倍のユニットを搭載できるようになるとしている。1個の256GビットNANDフラッシュチップで、32Gバイトの容量が実現可能だという。48層の構造に比べて動作速度が2倍以上になり、書き込み／読み出し性能は20％向上すると発表した。

SK Hynixは2016年4月に、36層の128Gビット3D NANDフラッシュを発表した。2016年11月には、48層の256Gビット3D NANDフラッシュの量産を開始している。

同社はプレスリリースで、「72層の256Gビット3D NANDフラッシュを製造するというのは、「10セント硬貨の上に、72階建ての超高層ビルを約40億棟、建てるようなもの」だと説明している。

SK Hynixは、72層256Gビット品の量産を2017年後半に開始する予定だ。用途をSSDや、スマートフォンなどのモバイル機器に拡大していくとしている。

SK Hynixが発表した72層256Gビット3D NANDフラッシュ 出典：SK Hynix

メモリの成長は堅調との予想

Gartnerの予測によると、NANDフラッシュ市場の売上高は2017年に465億米ドル、2021年には565億米ドルに成長する見込みである。

3D NANDフラッシュについては、東芝が2017年2月に、64層の512Gビット3D NANDフラッシュ「BiCS FLASH」のサンプル出荷を開始した。さらにその前年の2016年7月には、64層256Gビット品を発表している。