



삼성전자가 세계 첫 3나노(1나노=10억분의 1) 초미세 반도체 공정 개발에 성공했다.초미세 공장에서 경쟁사들을 앞서면서 2030년 시스템반도체 세계 1위를 달성하겠다는 비전에 청신호가 켜졌다.이재용 부회장은 2일 화성사업장 반도체연구소를 방문해 `삼성전자가 세계 최초로 개발한 3나노 공정기술`을 보고 받았다.이 자리에는 김기남 부회장, 정은승 사장, 진교영 사장, 강인엽 사장, 강호규 반도체 연구소장 부사장 등 반도체 핵심 인력이 참석했다.3나노 반도체는 미세화의 한계를 극복할 수 있는 차세대 기술인 `GAA(Gate-All-Around)`를 적용했다. 최근 공정개발을 완료한 5나노 제품에 비해 칩면적을 약 35% 이상 줄일 수 있다. 또 소비전력을 50% 감소시키면서 성능(처리속도)은 약 30% 향상시킬 수 있는 제품이다.지난해 4월 `2030년 시스템 반도체 세계 1위` 목표를 제시한 삼성전자는 3나노 기술개발로 큰 힘을 얻게 됐다. 이 부회장은 미래 반도체 기술을 점검하는 것으로 경자년 첫 경영 행보를 시작하며 의지를 다졌다.[전경운 기자][ⓒ 매일경제 & mk.co.kr, 무단전재 및 재배포 금지]