ハワイ開催としては過去10年で最高の参加登録者数を記録 開会の挨拶では総合議長から、参加登録者が現時点で過去10年のハワイ開催(VLSIシンポジウムはハワイ開催と京都開催を交互に実施しており、参加登録者数では京都がハワイよりも多い傾向にある)では、最高数を記録したことが報告された。 6月19日朝の時点で、参加登録者の数は約860名に達したという。ショートコースの受講者数は406名で、これも過去10年では最大数である。 実行委員会としては、過去最大数の参加者はありがたいことだ。ところが思わぬ反動が出た。休憩時間に出されるジュースやコーヒーなどが、不足気味なのだ。とくにひどかったのが技術講演会前日(6月18日)の夜に開催された立食パーティー形式のレセプション(歓迎会)で、開始早々に料理が消え失せてしまった。

Micronの幹部がメモリ技術の最新トレンドを講演 オープニングリマークスと次回予告に続くプレナリ講演セッションでは、4件の招待講演が実施された。 その中で、Micron Technologyのエグゼクティブバイスプレジデントを務めるScott DeBoer氏による、メモリ技術の最新トレンドに関する講演が興味深かったので、その概要をご紹介したい。 とくに参考になりそうなのは、MicronにおけるDRAMと3D NANDフラッシュメモリの開発状況に触れた部分である。

10nm世代の最先端DRAMは、5段階の開発ステージを計画 最初はDRAMの開発状況である。20nm未満の微細加工を駆使する最先端DRAMは、「1X(エックス)世代」から始まった。 現在はさらに微細化した「1Y(ワイ)世代」のDRAMの開発が完了しており、重要顧客による認証の完了を待っている。その後、量産に入る予定だ。 その先は「1Z(ゼット)世代」である。こちらはシリコンダイ水準での開発段階にあり、ウェハプロセスの最適化を進めている。 さらにその先は「0x世代(10nm未満の世代)」へ、とはいかない。「1α(アルファ)世代」となる。この世代はプロセス技術の集積化を実施中である。そしてさらにその先も0x世代ではなく、「1β(ベータ)世代」と呼ぶ10nm世代が続く。 DRAMのリソグラフィ技術に関しては、注目すべきコメントがあった。「1β(ベータ)世代」までは、EUV(Extreme Ultra-Violet: 極端紫外線)リソグラフィは採用しない。採用の可能性があるのは、「1β(ベータ)世代」のさらに先の世代からだという。