稼働時期／規模は市場動向をみて、16年度内に判断

東芝は2016年3月17日、NAND型フラッシュメモリの新工場を建設することを決めた。2016年度（2017年3月期）以降3年間に総額3600億円程度を投資して新製造棟を整備する計画。なお、建設時期、生産能力などは、市場動向を踏まえ、2016年度中に決定するとしている。

建設を決めたNANDフラッシュ新製造棟は、2016年2月に約30億円で取得を決定していた四日市工場隣接地約15万m2を使って整備される見込み＊）。新製造棟では、3次元構造のNANDフラッシュ「BiCS FLASH」の製造に必要な3次元専用工程に対応させる。

＊）関連記事：東芝、3D NAND製造用に四日市工場の敷地を拡張

現在、3次元専用工程のための製造棟として、新第2製造棟を2016年度前半の完成を目指し建設しているが、「さらに将来の需要拡大に対応するためには、新第2製造棟と別に、新たな3次元専用工程の製造棟を建設する必要がある」（同社）として投資を決定した。

サンディスクとは「今後交渉進める予定」

今後3年間に行う予定の投資額約3600億円には、建屋建設と生産設備にかかる費用となるが、詳細は「2016年度中に決定する予定」として明かしていない。また、これまで東芝は、NANDフラッシュの生産設備に関する投資は、サンディスクと折半する共同投資を実施してきた。今回の新製造棟では「サンディスクとの共同投資に関する交渉は、今後進める予定」（東芝）として、現在のところ共同での投資は決定していない。