韓国SK Hynixは23日(現地時間)、「GDDR6 (Graphics DDR6) DRAM」の2Znm 8Gbモジュールを発表した。

GDDR6は、GDDR5と比較して2倍高速ながら10%低い動作電圧を実現するメモリ規格。競合する米MicronもGDDR6の生産を計画している(Micron、2017年中に1Xnm DRAMや64層3D NANDを出荷)。

SK Hynixによれば、GDDR6 DRAMのピンあたりデータ転送レートは16Gbpsで、メモリバス幅384-bitの“次期ハイエンドビデオカード”において768GB/sのデータ通信を可能とするという。

同社では、2018年初頭に発売が計画されているGDDR6搭載ハイエンドビデオカードに向け、GDDR6の量産を計画している。