NANDフラッシュメモリの大手ベンダーであるSK Hynixは、大容量の3D NANDフラッシュを手掛ける大手6社4グループ(Samsung Electronics、東芝メモリとWestern Digitalの連合、IntelとMicron Technologyの連合、SK Hynix)のなかでは、あまり目立たない存在だった。最高密度または最大容量の3D NANDフラッシュを最初に開発してきたのは、Samsungや東芝メモリなどの競合他社であり、SK Hynixはトップグループに少し遅れてフラッシュ製品を開発してきた。言い換えると「世界初」がなかった。

しかしこの2年で、SK Hynixは急速に技術力を強化してきたようだ。最先端NANDフラッシュメモリの開発では、トップグループと肩を並べつつある。まず昨年(2018年)8月のFMSで同社は、96層の3D NANDフラッシュ技術と3bit/セル(TLC)の多値記憶技術による512Gbitのシリコンダイを発表した。96層というワード線の積層数は、その時点ではトップクラスである。

昨年(2018年)8月のFMSでは同時に、周辺回路(ペリフェラル)をメモリセルアレイの下に配置するシリコン面積削減技術を開発し、96層の3D NANDフラッシュに組み込んだこと発表した。この技術をSK Hynixは「PUC(Peripheral Under Cell)」と呼称した。そして周辺回路の積層によって「次元(ディメンション)」が1つ増えたと解釈し、「3D NAND」技術ではなく、「4D NAND」技術と呼ぶようになった。技術世代の名称は、96層は技術世代としては第5世代であることから、前の第4世代を「3D V4」と呼んでいたのに対し、第5世代は「4D V5」と変更した。

そして今年(2019年)8月のFMS(8月6日～8日、米国カリフォルニア州サンタクララコンベンションセンター)でSK Hynixは、TLC技術では過去最大容量となる1TbitのNANDフラッシュメモリをキーノート講演で披露した。同社が「4D V6」と呼ぶ、第6世代の3D NANDフラッシュ技術による開発成果である。「4D V6」は、前世代と同じく周辺回路とセルアレイを積層する「PUC」技術と、ワード線の積層数を128層と大幅に増やした3次元積層技術によって構成されている。128層も現時点ではトップクラスの積層数である。

第6世代の3D NAND技術によって開発した1Tbitフラッシュメモリの量産は、今年(2019年)の第4四半期に始める予定である。パッケージは大きさが11.5×13mmのBGAタイプ。シリコンダイの大きさは公表していない。メモリセルアレイは4つのプレーンに分割してあり、それぞれを交互にアクセスすることで速度を高めている。